하이닉스반도체가 올해 당초 계획보다 7500억원 늘어난 3조원 이상을 투자하기로 했다. 이에 따라 11조원 이상 투자할 계획인 삼성전자와 더불어 ‘반도체 코리아’의 아성이 더욱 굳건해질 전망이다.

하이닉스반도체는 올해 투자 규모를 당초 계획했던 2조 3000억원에서 3조 500억원으로 늘리겠다고 31일 밝혔다. 하이닉스는 “견조한 수요를 바탕으로 최근 메모리 반도체 시장 환경이 변하고 있다.”면서 “서버와 그래픽, 모바일 등 고부가가치 제품에 대한 고객 요구에 적극적으로 대응하기 위한 것”이라고 설명했다.

하이닉스의 주된 투자 대상은 40나노급 D램의 공정전환. 이를 통해 15% 수준인 40나노급 제품 비중을 연말까지 50%선으로 확대할 계획이다. 40나노급 D램은 50나노급보다 생산성이 50% 이상 높고 고성능 저전력 제품에 주로 사용된다.

하이닉스의 이같은 공격적인 투자는 최근 삼성전자가 메모리 부문 9조원을 포함해 올해 반도체에만 11조원을 투자하겠다고 발표한 데 대한 ‘대응책’으로 해석된다. 또 반도체 업종 전망이 밝다는 점도 투자 확대를 결정한 요인으로 꼽힌다. 시장조사업체 가트너에 따르면 최근 PC와 스마트폰 시장의 호황으로 올해 D램과 낸드플래시 시장 규모가 전년 대비 각각 43%, 32% 늘어날 것으로 전망된다. PC의 주요 부품인 D램 공급은 주문을 따라가지 못하는 상황이다.

이두걸기자 douzirl@seoul.co.kr