CTF 기반… 연내 초도 양산 시작

칩 크기 30% 이상↓ 속도 30%↑SK하이닉스가 기존 3차원(3D) 낸드플래시 메모리 반도체에서 한 단계 진화한 4차원(4D) 낸드플래시를 개발해 연내 초도 양산을 시작한다.

SK하이닉스는 4일 “3D 낸드플래시에 주로 적용되는 CTF(Charge Trap Flash) 구조에 PUC(Peri Under Cell) 기술을 결합한 ‘96단 512기가비트급 티엘시(TLC·트리플 레벨 셀) 4D 낸드플래시’를 세계 최초로 개발했다”고 밝혔다. CTF는 셀 간 간섭을 최소화해 성능과 생산성을 개선한 기술이고, PUC는 데이터를 저장하는 셀 영역 하부에 셀 작동을 관장하는 주변부 회로를 배치하는 기술이다. 아파트 옥외주차장을 지하주차장으로 구조 변경해 공간 효율을 극대화하는 것과 비슷하다.

SK하이닉스는 CTF 기반에서는 처음으로 PUC 기술을 도입했다는 점을 강조해 제품 이름에 4D를 붙였다. 이 기술을 통해 기존 72단 3D 낸드보다 칩 크기가 30% 이상 줄었고, 웨이퍼당 비트 생산은 1.5배 늘었다. 또 동시 처리 가능한 데이터는 업계 최고 수준인 64킬로바이트(KB)에 이르고 쓰기·읽기 성능도 72단 제품보다 각각 30%, 25% 향상됐다. 특히 칩 크기가 줄어 칩 1개로 기존 256기가비트 3D 낸드 2개를 대체할 수 있어 생산원가 측면에서도 유리하다. 경쟁사인 삼성전자, 도시바가 내놓은 96단 3D 낸드보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있을 총저장 용량 등이 개선됐다는 설명이다.

앞서 지난 8월 미국 샌타클래라에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋’(FMS)에서 SK하이닉스는 4D 낸드 기반 차세대 솔루션 출시 계획을 밝혔는데, 이번에 개발한 제품을 탑재한 1테라바이트(TB) 용량의 소비자용 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 올해 안에 선보일 계획이다. 또 72단 기반 기업용 SSD도 내년에 96단으로 전환해 경쟁력을 강화할 방침이다.

이재연 기자 oscal@seoul.co.kr